Attribut du produit

Valeur de l’attribut

Fabricant:

Texas Instruments

Catégorie de produit:

MOSFET

RoHS:

Détails

Technologie:

Si

Style de montage:

SMD/SMT

Paquet / Étui:

VSON-CLIP-8

Polarité du transistor:

Canal N

Nombre de canaux :

1 canal

Vds - Tension de panne de la source de vidange:

100 V

Id - Courant de vidange continu:

140 A

Rds On - Résistance à la source de drainage:

4,9 mOhms

Vgs - Tension de la source de grille:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - Tension de seuil de la source de grille:

2,2 V

Qg - Charge de porte:

48 nC

Température minimale de fonctionnement:

- 55 C

Température de fonctionnement maximale:

+ 150 C

- Dissipation de puissance:

195 W

Mode canal:

Amélioration

Nom commercial :

NexFET

Emballage:

Bobine

Emballage:

Couper du ruban adhésif

Emballage:

SourisReel

Marque:

Texas Instruments

Configuration:

Célibataire

Temps d’automne:

6 ns

Transconductance avant - Min:

84 S

Hauteur:

1 mm

Longueur:

6 mm

Type de produit:

MOSFET

Temps de montée:

6 ns

Série:

CSD19532Q5B

Quantité de pack d’usine:

2500

Sous-catégorie:

MOSFET

Type de transistor:

1 canal N

Temps de retard d’arrêt typique :

22 ns

Temps de retard d’allumage typique :

7 ns

Largeur:

5 mm

Poids unitaire:

0,003714 oz